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本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，电容器包括：半导体衬底，包括至少一个衬底沟槽组；至少一个叠层结构，每个叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，n层导电层中的第一层导电层设置于半导体衬底上方和衬底沟槽组内，n层导电层中的第i层导电层形成有第i导电层沟槽组，n层导电层中的第i+1层导电层设置于第i层导电层的上方和第i导电层沟槽组内，m、n、i为正整数，且n≥2，1≤i≤n‑1；至少一个第一外接电极，电连接至n层导电层中的一部分导电层；至少一个第二外接电极，电连接至n层导电层中的另一部分导电层，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112449725 B
(45)授权公告日 2023.01.20
(21)申请号 201980001219.4 (74)专利代理机构 北京龙双利达知识产权代理
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