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一种具有V型能带结构的锑硫硒薄膜的制备方法及其应用.pdfVIP

一种具有V型能带结构的锑硫硒薄膜的制备方法及其应用.pdf

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    本发明公开了一种具有V型能带结构的锑硫硒薄膜的制备方法及其应用，属于光电材料及薄膜技术领域，方法包括：将酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒脲混合得到前驱体溶液；分三步沉积，通过调节每一步中硒脲的加入量，并满足第二步中硒脲含量大于第一步和第三步，在水浴中进行反应，干燥后得到锑硫硒前驱体薄膜；将锑硫硒前驱体薄膜进行退火，由于沉积得到的第二层前驱体薄膜中S与Se的原子比小于第一层和第三层，即第二层前驱体薄膜带隙小于第一层和第三层，从而最终能够得到具有V型能带结构的锑硫硒薄膜。如此，采用上述具有V型能带结构的锑

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112466969 B (45)授权公告日 2022.05.31 (21)申请号 202011358662.8 H01L 31/042 (2014.01)

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