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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂。本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH，并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112442374 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202011374468.9 (51)Int.Cl.
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