原创力文档- 0
- 0
- 约1.05千字
- 约 1页
- 2023-05-30 发布于四川
- 举报
本发明提供了一种阵列基板的制造方法。所述阵列基板制造方法包括如下步骤：提供基板，在所述基板上连续沉积半导体层和栅极绝缘层；依次图案化所述栅极绝缘层和所述半导体层，并且通过一次构图工艺形成包括有源层的图案，通过二次构图工艺形成包括栅极介质层的图案。本发明阵列基板制造方法，通过连续沉积半导体层和栅极绝缘层，并在沉积所述栅极绝缘层之后对所述半导体层进行图案化，因此可避免直接在所述半导体层涂覆光刻胶及去除光刻胶造成对后续制备有源层的沟道表面的污染，进而提高了所述薄膜晶体管区的性能和可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470278 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201880093994.2 H01L 29/786 (2006.01)
(22)申请日
文档评论（0）