半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过刻蚀去除部分所述第一金属层以在所述第一金属层中形成第一开口；所述第二金属层填充在所述第一开口中，且与刻蚀剩余的所述第一金属层电连接；硅通孔依次贯穿所述衬底和部分厚度的所述介质层且暴露出所述第二金属层；硅通孔中的互连层与所述第二金属层电连接。所述第二金属层和互连层在所述衬底上的投影落入所述第一金属层在所述衬底上的投影范围内即可实现将第一金属层引出，硅通孔不需要额外占用横向(平行于衬底方向)上第一金属层侧方的面积，提高了晶圆面积利用率。引出第一金属层的第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112435977 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011309816.4 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司