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一种MEMS-IDT加速度传感器.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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一种MEMS-IDT加速度传感器.pdf

    本发明涉及一种MEMS‑IDT加速度传感器，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子。所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁。所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层。其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面。该加速度传感器通过MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SA

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112462091 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 201910842007.0 G01P 15/09 (2006.01)

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