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本发明涉及一种高性能光阳极BiVO4薄膜催化剂的制备方法,包括如下步骤:S1.清洗基底后干燥;S2.将基底置于沉积室,然后在基底表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜,其中靶材为钒酸铋陶瓷靶,溅射时所述靶材与基底的夹角为60°‑90°,溅射气体为为氩气和氧气,总压强为0.5~2.5Pa,氧分压为5‑20%,靶材与基底的距离为7~20cm,初始基底温度为室温。本发明基于磁控溅射钒酸铋的过程靶材与基底之间的角度可调,优化制备工艺,在特殊角度可以制备出疏松结构的钒酸铋薄膜,能够增大与液相的有效接触面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112452322 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011231979.5 C23C 14/35 (2006.01)
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