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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其制作方法,属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、晶圆A1、电气连接层(150),所述晶圆堆叠体C2设置于晶圆A1上方并通过电气连接层(150)连接,所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆,于晶圆A1上方,所述晶圆堆叠体C2的正面涂覆介电层Ⅲ(300)并形成介电层Ⅲ开口(301),所述介电层Ⅲ开口(301)上内设置金属种子层(310)和金属凸块(360),所述金属凸块(360)与相邻的晶圆的金属互联层(120)通过金属种子层(310)连接。本发明提供了多层堆
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466869 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011619443.0 H01L 21/98 (2006.01)
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