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本发明提供一种SiCMOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiCMOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112446131 B
(45)授权公告日 2021.12.24
(21)申请号 202011101998.6 (74)专利代理机构 福州市鼓楼区京华专利事务
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