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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明提供了一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述衬底包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层；所述单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层之间设置有第一掺杂碳化硅层；所述第一掺杂碳化硅层和单晶碳化硅层之间设置有键合界面层。所述制备方法为：（1）在所述碳化硅支撑层上沉积第一掺杂碳化硅层，得到第一复合层；（2）将步骤（1）所得第一复合层与经过离子注入或激光照射的单晶碳化硅层相互键合，施加应力后得到所述复合碳化硅衬底组件；（3）热处理步骤（2）所得复合碳化硅衬底组件，得到所述复合碳化硅衬底。本发明提供的复合碳化硅衬底可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115662881 A
(43)申请公布日 2023.01.31
(21)申请号 202211644873.7
(22)申请日 2022.12.21
(71)申请人 青禾晶元（天津）半导体材料有限公
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