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- 2023-05-30 发布于四川
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公开了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括穿透堆叠结构并沿与第一基底的顶表面垂直的方向延伸的沟道区、位于堆叠结构上的第一层间介电层以及位于第一层间介电层上的外围电路结构。外围电路结构包括位于第二基底的第一表面上的外围电路元件。外围电路元件电连接到沟道区和栅电极中的至少一个栅电极。第一基底具有与其顶表面平行的第一晶面。第二基底具有与其第一表面平行的第二晶面。第一晶面的原子的布置方向与第二晶面的原子的布置方向交叉。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466876 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20201
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