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2023-05-30 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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本发明的实施方式提供一种能够抑制错误位的产生，且能够缩短写入动作的总时间的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含第1及第2存储单元、以及控制器。控制器在编程动作中，在第1时刻(t0)对选择栅极线(SGD)施加第1电压(VSGDH)，在第2时刻(t1)对选择栅极线(SGD)施加第2电压(VSS)，在第3时刻(t2)对字线(WL)施加第3电压(VPASS)，在第5时刻(t3)对字线(WLsel)施加第5电压(VPGM)。在选择了第1存储单元的编程动作中，第2时刻(t1)与第3时刻(t2)之间的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447232 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201