原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
实施方式提供一种能够改善良率的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括衬底、第1至第3导电体层、第1半导体层、及第1绝缘体层。衬底SUB包括第1区域MR、第2区域PR、及第3区域BR。多个第1导电体层23于第1区域内相互分离地设于衬底的上方。多个第2导电体层25相互分离地设于最上层的第1导电体层的上方。第1半导体层MP贯通第1及第2导电体层而设置。第3导电体层62于第2区域内设于衬底的上方。第1绝缘体层包括在第2区域内设于第3导电体层的上方且比最上层的第1导电体层更靠上层的第1部分59U，及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447745 A
(43)申请公布日
2021.03.05
(21)申请号 20201
文档评论（0）