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三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

    本发明提供一种三维存储器及其制备方法，在该制备方法中，首先将堆叠结构的阶梯区域沿第二方向划分字线接触区和挡墙区；接着对被台阶分区的各级台阶的侧壁显露出的堆叠结构的层间牺牲层进行侧向蚀刻以形成端部内凹间隙，并于端部内凹间隙内形成牺牲端部，再接着通过两步蚀刻工艺分别去除部分层间牺牲层和牺牲端部，并保留位于各级台阶下方的层间牺牲层(作为栅极绝缘部)，以形成栅极间隙，然后于栅极间隙填充导电材料以形成栅极导电部，最后在各级台阶处的栅极导电部上进行接触孔蚀刻，并于接触孔中形成连接柱。利用本发明可以降低接触孔

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466880 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011216271.2 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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