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一种硅异质结电池及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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一种硅异质结电池及其制作方法.pdf

    本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。第一透明导电层形成在界面反型层上。该界面反型层包含极性有机分子。极性有机分子与P型掺杂硅层中的硅原子成键。界面反型层具有从透明导电层指向P型掺杂硅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112466977 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202010827798.2 H01L 31/20 (2006.01)

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