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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明公开一种薄膜晶体管(10),包括衬底(11)、有源层(12)、第一接触层(13)、第二接触层(14)、栅极绝缘层(15)、栅极(16)、源极(17)及漏极(18),所述有源层(12)、所述第一接触层(13)及所述第二接触层(14)设于所述衬底(11)上,所述栅极(16)在所述衬底(11)上的正投影与所述第一接触层(13)在所述衬底(11)上的正投影之间的交叠面积为零,所述栅极(16)在所述衬底(11)上的正投影与所述第二接触层(14)在所述衬底(11)上的正投影之间的交叠面积为零。本发明还
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470268 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201880093833.3
(22)申请日 2018.05.30
(85)PCT国际申
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