原创力文档- 1
- 0
- 约6.6千字
- 约 7页
- 2023-05-31 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种级联式去耦芯片，包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元；所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环，所述金属开口谐振环为回字形，其内圈与外圈螺旋相接，四个呈田字分布的金属开口谐振环共用相邻外圈，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上；所述高频去耦单元包括一个方形谐振环，设置在低频去耦单元正下方。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环，等效成LC电路，并通过低温共烧陶瓷技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦，同时由于在芯片上加载低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510366 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202011117293.3
(22)申请日 2020.10.19
(71)申请人 西安朗普达通信科技有限公司
文档评论（0）