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一种可调谐双频去耦芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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一种可调谐双频去耦芯片.pdf

    本发明公开了可调谐双频去耦芯片，包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元；所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上；所述高频去耦单元包括一个口字形金属框，设置在低频去耦单元正下方，口字形金属框四个方向都有开口。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环，并通过低温共烧陶瓷技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦，同时由于在芯片上加载低频和高频两个去耦单元，实现双频段去耦。同时在

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510368 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011118276.1 (22)申请日 2020.10.19 (71)申请人 西安朗普达通信科技有限公司

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