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- 2023-05-31 发布于四川
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一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器,属于激光器技术领域。该激光器为一种利用具有DBR结构的垂直腔面发射激光器的外延结构从下向上的顺序依次包括衬底、N型掺杂层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、光刻胶、Al2O3薄膜层、P型DBR层、P型掺杂GaAs层。本申请在利用侧向外延技术将氧化后应力变得很脆弱的高Al组分AlGaAs外延层换成Al2O3薄膜层,使得此Al2O3层及其上的外延层变得兼顾,不会随着很小的震动或者外力就破裂,从而导致器件失效,另外不会产生As及As2O3等剧毒
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510484 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202010970223.6
(22)申请日 2020.09.15
(71)申请人 北京工业大学
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