声表面波器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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本发明涉及一种声表面波器件的制造方法,其采用非连续性低温溅射工艺。非连续性低温溅射工艺包括如下步骤:通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤;在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤;对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤;在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤;以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤,其中m为大于等于1的整数。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112511125 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011006739.5 (22)申请日 2020.09.23 (71)申请人 广东广纳芯科技有限公司

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