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本发明公开了一种硒化镉类单晶薄膜制备方法、太阳能电池制备方法及产物，属于光电材料领域，薄膜制备方法包括：(S1)将导电基底加热至第一预设温度并维持第一预设时间；(S2)以硒化镉粉末为蒸发源，将蒸发源加热至第二预设温度后，利用快速热蒸发法在导电基底上沉积得到晶体取向单一的硒化镉薄膜；在此基础上，太阳能电池制备方法包括：(T1)活化导电基底上沉积的硒化镉薄膜；(T2)在硒化镉薄膜的表面旋涂一层高分子空穴收集层；(T3)在高分子空穴收集层的表面旋涂一层Cu基空穴收集层；(T4)在Cu基空穴收集层的表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112490298 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202011355151.0 H01L 31/0296 (2006.01)
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