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公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510049 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202010902350.2 H01L 27/11563 (2017.01)
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