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一种铜互连结构形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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一种铜互连结构形成方法.pdf

    本发明公开了一种铜互连结构形成方法，包括：在衬底上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层中形成表面露出的第一铜互连线；执行还原处理，将在露出的所述第一铜互连线表面上形成的铜氧化物还原为铜；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，并在所述第二层间介质层中形成底部连接至所述第一铜互连线的第二铜互连线；其中，利用所述还原处理，使铜氧化物晶格中的铜原子向氧原子空位横向弛豫，以消除铜氧化带来的晶格位错而导致的应力。本发明能够修复铜和铜氧化物表面由于晶格不同产生的晶格位错缺陷，从而能有效改善因缺陷导致的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799171 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211653476.6 (22)申请日 2022.12.21 (71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中

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