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2023-05-31 发布于四川
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一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法.pdf

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本发明涉及集成电路的引线框架制备，具体涉及一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法，以解决现有刻蚀法加工过程中的光刻胶只能一次性使用，使得生产成本过高的技术问题。本发明引线框架制备方法包括：将金属薄板或聚合物薄膜材料加工成引线框架图形的掩模板，掩模板的一面涂布PDMS等粘性聚合物材料；将掩模板带有粘性聚合物材料的一面与待刻蚀铜基材紧密贴合，在真空中压紧；放置于温度为40～100℃、浓度为0.1g/ml～0.6g/ml的FeCl3溶液中进行刻蚀；将刻蚀好的铜基材从掩模板上取下，得到需要的引线框架。本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112490131 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011357077.6 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人西安交通大学地址

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