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模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法.pdf

    本发明涉及中子发生器，具体涉及一种模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法。本发明的目的是解决现有可控中子源仪器用中子发生器存在中子管在无屏蔽的环境下试验时靶压不能超过20KV，远低于实际工况下的靶压，导致部分电参数不能全面检测，可控中子源仪器一旦出现故障，在没有相关中子屏蔽防护的状态下可能会误出中子射线，导致不能立刻全面检测仪器，只能返厂维修，致使维修周期过长的技术问题，提供一种模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法。该模拟中子发生器能加高压，能电离但不会出射中子射线，使用该

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112512198 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011286327.1 (22)申请日 2020.11.17 (71)申请人 西安奥华电子仪器股份有限公司

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