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在某些方面中,薄膜表面声波,SAW,裸片包括高电阻率衬底(110)、在高电阻率衬底上的键合层(108)以及在键合层上的薄膜压电岛(112),其中薄膜压电岛的边缘从键合层的边缘偏移。在另一方面中,一种用于SAW裸片的制造方法包括:提供具有前表面(102f)和后表面(102b)的压电晶片(102);形成在压电晶片中来自前表面的剥离层(104);形成在压电晶片上来自前表面的多个沟槽(106),以形成多个压电岛(112);通过键合层(108)将压电晶片(102)从前表面键合到高电阻率衬底;以及移除在后表
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112514252 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 201980050570.2 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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