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本发明的半导体存储装置具备具有排列在第1方向的第1区域及第2区域的衬底。第1区域具备：多个第1字线层及第1层间绝缘层，积层在与衬底的表面交叉的第2方向；第1半导体层，与多个第1字线层对向；及第1电荷储存膜，设置在这些层之间。第2区域具备：多个第1字线层及第1层间绝缘层的一部分，积层在第2方向；多个第1绝缘层及第1层间绝缘层的一部分，在第3方向上与多个第1字线层相隔，积层在第2方向；第1触点，在第2方向延伸，具有连接于多个第1绝缘层的外周面；及第2绝缘层，设置在多个第1字线层及第1绝缘层之间。多个
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510047 A
(43)申请公布日
2021.03.16
(21)申请号 20201
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