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2023-05-31 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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实施方式提供一种能够抑制布线与插塞的反应的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第一基板；以及设于所述第一基板上的逻辑电路。所述装置还具备：多条布线，设于所述逻辑电路的上方，沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的第二方向上相互隔开间隔而设置，并含有铜；以及第一绝缘膜，设于所述逻辑电路的上方且所述多条布线下。所述装置还具备：插塞，设于所述第一绝缘膜内，沿与所述第一及第二方向交叉的第三方向延伸，含有钨，并与作为所述多条布线中的一条布线的第一布线电连接；以及第二绝缘膜，设于所述第一绝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510011 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202010757358.4 (22)申请日 2020.07.31 (30)优先权数据

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