一种硅基发光二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种硅基发光二极管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，所述硅基发光二极管从下至上依次为氧化硅片衬底，Au薄膜阳极，PEDOT：PSS空穴传输层，PVP下界面修饰层，准二维钙钛矿BA2Csn‑1PbBr3n+1发光层，PS上界面钝化层，Bphen电子传输层，半透明Ag薄膜阴极。本发明采用具有绝缘特性的超薄高分子聚合物层有效降低了准二维钙钛矿层的激子发光淬灭；利用高反射率Au底电极和半透明Ag顶电极形成微腔结构增强上表面光输出耦合，通过低成本溶液法在硅基上直接制备了高稳定性的钙钛矿发

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112510162 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202011421025.0 H01L 51/56 (2006.01) (22)申请日