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本发明公开了一种薄膜母线电容器，包括：电容壳体，包括灌封面侧，灌封面对面侧；电容内芯，灌封在电容壳体内；输出铜排，位于灌封面侧，用于固定连接绝缘栅双极型晶体管IGBT功率单元；输出铜排包括平行层叠、板状的正极铜排和负极铜排；正极铜排和负极铜排的一端与电容内芯固定连接，另一端穿过电容壳体向外延伸；正极铜排与负极铜排之间设有绝缘层；输入铜排，位于灌封面对侧，与电容内芯固定连接；上述薄膜母线电容器能够显著的缩短电流路径，有效降低了电容器的引线电感和杂散电感和纹波电流。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112490000 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202011119856.2 (56)对比文件
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