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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括在衬底的第一阱区上形成第一栅叠层；在衬底的第二阱区上形成第二栅叠层；采用光刻胶掩膜遮挡第二阱区并以第一栅叠层作为硬掩膜，在第一阱区中形成第二掺杂类型的第一源区和第一漏区；以及去除光刻胶掩膜，进行普注以在第二阱区中形成第一掺杂类型的第二源区和第二漏区，在形成第二源区和第二漏区的步骤中，第一源区和第一漏区的第二掺杂类型的掺杂剂复合第一掺杂类型的掺杂剂，第一源区和第一漏区的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。该制造方法在形成第二源区和第二漏区时可以省去附

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112509981 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 20191

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