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- 2023-05-31 发布于四川
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可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112501563 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202010861459.6
(22)申请日 2020.08.25
(30)优先权数据
10-2019-0
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