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硅片缺陷的检测方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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硅片缺陷的检测方法.pdf

    本发明涉及一种硅片缺陷的检测方法，包括以下步骤：将待检测硅片切割为两片待检测子硅片；将两片待检测子硅片进行金属污染处理；将两片待检测子硅片进行不同的热处理，并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案，判断待检测硅片的缺陷。将待检测硅片切割为两片待检测子硅片，并对两片待检测子硅片进行不同的热处理，根据pv区和pi区的特性，使得两片待检测子硅片出现不同的结果，则可以准确的判断出pv区和pi区。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115791818 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211657324.3 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址

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