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本发明公开了一种基于双稳态结构的磁控转印印章及转印方法，该印章是二维结构，包括制备有空腔阵列的印章主体、双稳态结构磁性薄膜和设于双稳态结构磁性薄膜底部的粘附块；转印方法为：1)拾取时，将印章按压在元件/基底上，利用印章/元件界面的粘性将元件从施主基底上拾取；2)印刷时，在外加磁场的持续作用下，印章上的双稳态结构磁性薄膜变形向下跳跃，对元件产生冲击力和变形挤压力，使元件脱离印章，印刷到受主基底上。印章结构简单且成本低廉；响应速度快；能在常温和真空环境下实现非接触转印；具有更强的拾取和印刷性能；该方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112477391 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202011356638.0 B41M 3/00 (2006.01)
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