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一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置.pdf

    本申请公开了一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置，绝缘体上硅晶圆包括：第一衬底和顶硅层，第一衬底包括第一表面，其中，第一衬底具有沿第一方向的最大尺寸Dmax，第一表面具有沿第一方向的第二尺寸D2，满足100μm≤Dmax‑D2≤500μm；顶硅层设于第一表面上。本申请提供的绝缘体上硅晶圆，通过优化第一衬底和第一表面的边沿尺寸，为顶硅层的制备提供了合适的位置，有利于获得具有较窄台阶宽度的绝缘体上硅晶圆。本申请还提供制备上述绝缘体上硅晶圆的方法，以及包括上述绝缘体上硅晶圆的半导体装置。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799273 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211652519.9 (22)申请日 2022.12.21 (71)申请人 中环领先半导体材料有限公司 地址

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