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此处提供半导体装置与其形成方法。本公开实施例的半导体装置包括第一半导体通道膜，与第二半导体通道膜位于第一半导体通道膜上；以及含硅与氮的多孔介电结构。多孔介电结构夹设于第一半导体通道膜与第二半导体通道膜之间，且多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112531030 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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