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本发明涉及一种半导体结构制造方法，包括：提供基底，基底上具有多个分立的导电层；在基底上形成覆盖导电层顶部以及侧壁的前驱物层；对前驱物层进行预氧化处理，使高于导电层顶部的前驱物层转化为第一阻挡层；之后，在含氧氛围下对位于第一阻挡层下方的前驱物层进行退火处理，前驱物层内产生气体，以形成具有多个气孔的隔离层。本发明实施例中，通过形成第一阻挡层，在退火处理过程中，含氧气体经第一阻挡层渗入前驱物层，且第一阻挡层能阻碍前驱物层氧化产生的气体排出，使前驱物层转化为气孔密度更高以及气孔体积更大的多孔隔离层，减小
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112563143 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 201910910273.2 审查员 薛源
(22)申请日 2019.09.25
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