氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdfVIP

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdf

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本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112521946 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010709396.2 (22)申请日 2020.07.22 (30)优先权数据

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