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2023-06-01 发布于四川
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一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法.pdf

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本发明提供一种改善NANDflash控制栅极间形貌的方法，在基底上形成相互间隔的多个字线及间隔的选择管栅；在字线间的底部、字线侧壁及选择管栅侧壁形成一层氧化层；在字线间的间隙及字线与选择管栅间的间隙填充氮化硅；在选择管栅的侧壁形成侧墙；形成氧化硅层及氮化硅层，在选择管栅之间填充氧化物；回刻使字线头部及选择管栅头部露出；生长保护层覆盖选择管栅之间的上表面；去除字线间隙中的氮化硅；在选择管栅上形成金属硅化物；沉积介质层使的字线之间形成空气间隙。本发明将选择管及选择管之间的空隙通过一层保护层保护起来

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530962 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011517659.6 (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人上海华力微电子有限公司

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