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一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-01 发布于四川
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一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法.pdf

    本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：将S源置于双温管式炉的低温区，将Mo源置于双温管式炉的高温区；其中，Mo源包括MoO3粉末以及生长在衬底上的MoO3薄膜；S源与Mo源在高温环境下一步外延生长MoS2/MoO3异质结；将MoS2/MoO3异质结转移至金叉指电极上，制备光电探测器。本申请提供的基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，一步法生长的MoS2/MoO3异质结表现出较强的界面耦合质量，高界面耦合

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190497 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310465138.8 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人 长春理工大学

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