集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）.pdfVIP

集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）.pdf

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本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530789 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011156060.4 (74)专利代理机构上海胜康律师事务所 31263

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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