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本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励。本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112537796 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202011420585.4 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2020.12
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