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本申请提供了用于制造三维存储器的方法。用于制造三维存储器的方法包括：在衬底上形成叠层结构、贯穿叠层结构并延伸至衬底中的沟道孔、以及在沟道孔的底表面上背向衬底延伸的外延层；在外延层的顶表面和沟道孔的内壁上依次形成功能层和保护层；执行第一蚀刻去除覆盖外延层的至少部分功能层和保护层，以暴露外延层；执行第二蚀刻去除剩余的保护层，以暴露功能层；以及通过在暴露的功能层上沉积多晶硅，形成多晶硅沟道层。第二蚀刻的步骤和沉积多晶硅的步骤连续地执行。在执行第二蚀刻和沉积多晶硅的步骤期间，暴露的外延层不与空气接触。由
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542466 A
(43)申请公布日 2021.03.23
(21)申请号 202011430304.3
(22)申请日 2020.12.09
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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