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本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAsDBR、AlInPN限制层、AlGaInPN波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInPP波导层、AlInPP限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112542540 B
(45)授权公告日 2021.12.31
(21)申请号 201910890733.X H01L 33/10 (2010.01)
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