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2023-06-01 发布于四川
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提供半导体存储装置及其制造方法，能够实现电特性的提高。半导体存储装置具有基板、第一层叠部、多个第一柱状部、第二层叠部、多个第二柱状部和第三层叠部。在所述第一层叠部，第一导电层和第一绝缘层沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第一柱状体分别在所述第一层叠部内沿所述基板的厚度方向延伸。在所述第二层叠部，第二导电层和第二绝缘层沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第二柱状体分别在所述第二层叠部内沿所述基板的厚度方向延伸。所述第三层叠部设置于所述第一方向上的所述第一层叠部和所述第二层叠部之间。在所述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530968 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010735750.9 (22)申请日 2020.07.28 (30)优先权数据

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