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实施方式提供一种可以实现大容量化的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，在第1方向上交替地积层有多个第1绝缘层与多个栅极电极层；第1半导体层、第2半导体层及第3半导体层，设置在积层体之中且在第1方向上延伸；第1电荷蓄积层、第2电荷蓄积层及第3电荷蓄积层；以及第2绝缘层，设置在积层体之中，在第1方向上延伸，在与第1方向垂直且包含栅极电极层的面内，与第1半导体层或第1电荷蓄积层、第2半导体层或第2电荷蓄积层、及第3半导体层或第3电荷蓄积层相接；且在与第1方向
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542463 A
(43)申请公布日
2021.03.23
(21)申请号 20201
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