一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法.pdf

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本发明公开了一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法，主要解决现有技术制备的镂空硬掩模厚度大，面积小的问题。其实现方案是：1)选用双抛硅基片，并进行清洗；2)在双抛硅基片正反两面上生长一层致密氮化硅薄膜；3)在长有致密氮化硅薄膜的基片正面及背面分别进行光刻，在正面的光刻胶上形成与电极图案互补的光刻胶图案，在背面形成对应的窗口图案；4)在表面图案化的基片正面及背面利用干法刻蚀工艺将3)制作的电极图案和窗口图案转移至氮化硅薄膜上；5)将经过4)处理的基片进行湿法刻蚀，并清洗及干燥，除去胶及残留物，获得镂空

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563124 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011452269.5 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人西安电子科技大学地址