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本发明提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：雪崩放大区；分别与所述雪崩放大区接触的第一欧姆接触层和电荷收集区；与所述电荷收集区连接的控制栅结构；其中，所述控制栅结构用于控制所述电荷收集区的势垒高度。也就是说，该锗硅雪崩光电探测器基于所述控制栅结构，通过调节栅极电压来控制电荷收集区的势垒高度，使只有暗电流中的载流子堆积势能高于某一势垒时才允许通过，进而降低锗硅雪崩光电探测器的暗电流，提高光电转换效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112531067 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202011403965.7 H01L 31/0224 (2006.01)
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