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2023-06-01 发布于四川
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本发明公开了一种蚀刻至垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体结构体中的各半导体材料的一个或以上外延层中的方法，其中所述半导体材料或每种半导体材料为III‑V半导体材料、III‑N半导体材料或II‑VI半导体材料。该方法包括将其上具有半导体结构体的衬底放置于等离子体处理腔室中的支承台上，半导体结构体在远离支承台的半导体结构体的表面上载有图案化掩膜。该方法还包括以下工艺步骤：建立通过等离子体处理腔室的蚀刻气体混合物流，以及在该等离子体处理腔室内产生等离子体，并同时向支承台施加射频(RF)偏压；由此使

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112567503 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 201980054883.5 (74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

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