原创力文档- 4
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- 2023-06-02 发布于四川
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本发明公开了一种半导体晶圆切割的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将晶圆固定，在晶圆正面进行激光切割，激光切割深度小于晶圆厚度；(2)使用UV胶对晶圆正面进行粘贴，在晶圆背面非芯片分布的区域涂覆掩膜，进行离子刻蚀，将芯片和晶圆进行分割；离子刻蚀深度为500‑550μm。本发明通过晶圆正面激光切割和晶圆反面离子刻蚀相结合的方法将晶圆进行切割，减小芯片破碎概率，且产生的应力较小，能够有效防止芯片的变型，变型范围小至0.09‑0.10μm。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116190219 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202111430195.X
(22)申请日 2021.11.29
(71)申请人 东莞新科技术研究开发有限公司
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